据悉，台积电高级副总裁张晓强在数值孔径技术研讨会上宣布了这一进展。他表示，台积电不会使用高数值孔径极紫外光刻技术来为A14芯片进行图案化处理，A14芯片的制造计划于2028年开始。从2纳米工艺到A14工艺，无需使用该技术，但在工艺步骤方面仍可保持类似的复杂程度。台积电计划首先引入高数值孔径极紫外光刻设备用于研发，以开发客户推动创新所需的相关基础设施和图案化解决方案。
台积电做出这一决定的主要原因在于成本考量。使用高数值孔径极紫外光刻工具，成本相比传统极紫外光刻方法最高会上涨2.5倍，这将使A14工艺节点的生产成本大幅提高，导致其在消费产品中的应用变得困难。此外，台积电的A14芯片在单层芯片设计中需要多个掩膜，而使用最新的光刻工具仅仅意味着在没有太多益处的情况下推高了成本。相反，通过专注于0.33数值孔径极紫外光刻技术，台积电可以使用多重图案化技术来维持相同水平的设计复杂度，而无需高数值孔径极紫外光刻技术的极高精度，最终使生产成本保持在较低水平。
值得注意的是，英特尔代工和几家DRAM制造商如今在技术上领先于台积电。据说英特尔将在18A工艺中使用高数值孔径极紫外光刻技术，预计该工艺最早明年就会推出。由于台积电的目标是在2029年实现A14P工艺，相比竞争对手，台积电在采用高数值孔径极紫外光刻技术应用方面至少会有四年的延迟，这一决定可能会让竞争对手占据一些优势。
台积电作为半导体制造领域的领军企业，多年来一直是技术创新的先驱，经常引领潮流。但此次在高数值孔径极紫外光刻技术的应用上，却因天价成本而暂时放缓脚步。不过，这并不意味着台积电在未来会放弃这项技术，其计划在A14P工艺节点上使用该技术，只是在当前阶段，需要综合考虑技术的成熟度、成本以及对客户的益处，做出更为谨慎的决策。